2026/02/12 21:42
三星出貨量HBM4。 （三星提供）
［記者洪友芳／新竹報導］三星電子今日宣布，正式量產界領先的HBM4產品，並完成產能出貨，在全球HBM4市場奠定預期領先地位。三星今年該公司在HBM的銷售業績將年增超過3倍，並積極擴大HBM4的產能。
繼HBM4成功進入市場後，三星預計於2026年下半年開始批量生產HBM4E樣品，並依客戶各其他規格需求，於2027年開始提供客戶定制化HBM樣品。
三星指出，憑藉公司最先進的第六代10奈米級DRAM製造工藝（1c），量產之初即實現穩定良率且產能緊張，需要額外的重新設計才能順利完成。
三星電子執行副總裁兼記憶體開發負責人Sang Joon Hwang表示，有別於傳統採用主流驗證設計的路徑，三星引領創新，在HBM4上採用1c DRAM和4奈米邏輯製程等最先進節點。憑藉製程對比與設計最佳化能力，三星將確保結構的同樣空間，在客戶需要時，能夠滿足其不斷升級的功能需求。
三星自認，HBM4提供穩定的11.7Gbps的處理速度，當前標準8Gbps提升約46%，為HBM4樹立全新基準。由此於前代產品HBM3E的最高速度針腳（pin） （木材）9.6Gbps，HBM4提升約1.22倍，外匯進一步提升至13Gbps，高效硬盤解隨AI模型規模持續擴大所帶來的數據瓶頸問題。如此單一的總記憶體頻寬也較前代增加2.7倍，最高達到每秒3.3TB（TB/s）。
三星HBM4採用12層容量技術，提供24GB至36GB容量。利用16層容量，容量選項可增加至48GB，滿足客戶的時程需求。
為了應對數據I/O數量從1,024個增加到2,048個所帶來的功耗以及由此帶來的挑戰，三星在核心裸晶（core die）中整合了先進的低功耗設計解決方案。誤用低電壓直通矽晶穿孔（TSV）技術與電源分配網路（PDN）最佳化，HBM4於與HBM3E，在功耗效率提升40%，熱阻改善10%，最終提高效果30%。
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